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氮化镓基半导体照明led及其应用产业化

文章分析了照明用半导体led的外延、芯片及封装等相关技术,介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索,提出了一些具体的解决方案,并对led的产业化生产进行了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29

赛迪顾问:高亮度成06年led产业发展代名词

中国led产业起步较早,从上世纪70年代产业起步,经过30多年的发展,中国led产业已初步形成了较为完整的产业链。至此,中国led产业在经历了买器件、买芯片、买外延片之路后,目

  https://www.alighting.cn/news/20061228/92302.htm2006/12/28 0:00:00

ingan缺陷障碍 积极应用不均匀的结晶结构

目前应用于蓝光led、dvd雷射上的ingan,因为没有适合结晶的基板,所以与gaas等传统的led材料相比,存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题,例如不完全结晶、有缺损等等

  https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00

我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

发展国产led设备正是风华正茂时

我国led产业发展到今天,在材料、外延片生长、芯片制造、封装及应用整个产业链中,人们在关注工艺技术的同时,也越来越对关键的工艺设备倾注了更多的关注。led产业与其他产业的区别就在

  https://www.alighting.cn/news/20060330/104056.htm2006/3/30 0:00:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。

  https://www.alighting.cn/resource/20060314/128926.htm2006/3/14 0:00:00

[名词] 氮化镓|gan

gan是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,gan具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,gan晶体一般是六方纤锌矿结构

  https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00

台湾公司努力提高外延片生产能力

目前,台湾公司为了扩大led产量和其它产品的生产需要正迅速地购买mocvd设备,如组建于1999年的led制造商——南方外延(south epitaxy)公司从美国设备供应

  https://www.alighting.cn/news/20051212/101770.htm2005/12/12 0:00:00

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

中国(深圳)国际半导体照明论坛征文通知

1995年以来,高亮度led市场以年均47%的增长速度引起了世人的关注。科技部组织实施“国家半导体照明工程”后,我国半导体照明产业化关键技术取得较大突破,外延、芯片逐步替代进

  https://www.alighting.cn/news/20051114/101310.htm2005/11/14 0:00:00

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