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式组成大功率lEd灯，尤其以串联为主。这种lEd的 为3.4V±2%，正向电流 为350ma左右。其 - 曲线如图1.1所示。图1.1 lEd — 曲线图1.2 相对变化对温度的变
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/7/28/283603.html2012/7/28 9:57:13
被电离，放电管开始放电。放电管端的压降迅速下降至辉光放电电压（图4的u2）（u2在表2中的数值为140V或180V，与管子本身的特性有关），管内电流开始升高。随着放电电流的进一步增
http://blog.alighting.cn/1077/archive/2012/10/15/293220.html2012/10/15 14:08:22
出电路中，可以用高耐压陶瓷电容来代替电解电容从而提升可靠性，有的人在设计两级电路的时候，在输出采用了一个400V的电解电容，这会严重影响电路的可靠性，建议采用单级电路用陶瓷电容就可
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/30/295362.html2012/10/30 20:20:32
中，可以用高耐压陶瓷电容来代替电解电容从而提升可靠性，有的人在设计两级电路的时候，在输出采用了一个400V的电解电容，这会严重影响电路的可靠性，建议采用单级电路用陶瓷电容就可以了。对
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/31/295654.html2012/10/31 21:58:39
【lEd光栅屏网】1. 驱动芯片的标称输入电压范围应当满足直流8~40V，以覆盖较广的应用需要。耐压能力最好大于45V。当输入为交流12V或24 V时，简单的桥式整流器输出电压会
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2012/11/28/301224.html2012/11/28 11:02:50
圆500V高压mos：smc2a50，smc 3a50，smc4a50，smc5a50，smc8a60替代2n50，3n50，4n50，5n60，8n50，650V高压mos：smc
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303371.html2012/12/13 15:20:05
原厂500V高压mos：smc 2a50，smc2ha50，smc 4a50，smc5ha50，smc 8a60替代2n50，3n50，4n50，5n60，8n50，原厂650
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303379.html2012/12/13 15:40:22
台湾原厂直销高压mos管晶圆，8寸晶圆芯片，500V高压mos管芯片650V高压mos管芯片，大功率高压mos管裸片晶圆，正宗台系晶圆，全部采用8寸工艺生产的mos管晶圆。8寸晶
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303382.html2012/12/13 15:43:19
气仪器或装置： 1. 在50V到1000V ac之间 2. 在75V到1500V dc之间 多数的家用电气产品，如咖啡壶、电风筒、多士炉、熨斗、室内暖炉等都在此范围内。 符合性声
http://blog.alighting.cn/sinwotest/archive/2013/1/5/306451.html2013/1/5 11:56:45
d光源工作特点照明用lEd光源的Vf电压都很低，一般Vf =2.75-3.8V，if在15-1400ma;因此lEd驱动ic的输出电压是Vf x n或Vf x 1， if恒流在15
http://blog.alighting.cn/85771/archive/2013/2/18/309731.html2013/2/18 13:16:05
