检索首页
阿拉丁已为您找到约 4974条相关结果 (用时 0.2427026 秒)

高效eu2+掺杂的氮化物和氮氧化物光转换荧光体白光led

d 用荧光体提出几点意见和展望。 1 、 m2si5n8 :eu2+ 氮化物发光   m2si5n8 :eu(m=ca,sr,ba) 荧光体可以有效地被 nuv~ 蓝绿光

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00

为照明系统中高亮度led提供高效电流驱动

光、红光、绿光或蓝光(也可能产生其它颜色光)。作为pn结它们表现出类似于传统二极管的v-i特性,但具有较高的结压降。在正向电压达到vf (从红光led的2.5v到蓝光led的4.5

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134143.html2011/2/20 23:05:00

高亮度led之「封装光通」原理技术探析

面下手,此层面的作法相当多,依据不同的化合材料也有不同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及gan/ingan,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者ga

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

led生产工艺及封装技术(生产步骤)

、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)   工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。   由于银

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00

si衬底gan基材料及器件的研究

性较好。由于这种方法的生长速率较慢,可以精确地控制膜厚,特别适合于量子阱、晶格等薄层结构的材料生长,但对于外延层较厚的器件,如leds和lds,生长时间较长,不能满足大规模生

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

第一章 外延在光电产业角色 近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管led及激光二级管ld的应用无

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00

白光led的奈米结构控制技术(组图)--国内技术

为发光层),进而因辐射再结合过程(process)产生发光现象。 利用混晶(亦称化合物为半导体)ingan产生高辉度蓝光或是绿光的led虽然已经进入商品化,可是有关发光机制传

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

led封装结构及其技术

1 引言 led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00

高能效的led区域照明

流却不一定需要是直流,因此也可以以脉波式直流波形来推动,只要平均和最大电流值符合led本身所指定的电流规范即可。因此,我们可以使用安森美半导体的ncp1216控制芯片搭配上一个高功

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133878.html2011/2/19 23:38:00

led的多种形式封装结构及技术

led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00

首页 上一页 304 305 306 307 308 309 310 311 下一页