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leD光学参数的测量技术与leD国家光度标准的研究

别是严格地调灯丝位置,led发光部位及接受面位置。先用光强标准灯校准硅光电二极管,c=e/s式中es=is/(D 2 s)ds是标准灯与接受器之间的距离,is是标准灯的光强度,r

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261529.html2012/1/8 21:48:33

2048像素leD平板显示器件的封装

板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像素尺寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不波长(

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261518.html2012/1/8 21:47:33

2048像素leD平板显示器件的封装

素尺寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~60

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22

2048像素leD平板显示器件的封装

寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~600n

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261504.html2012/1/8 21:46:54

2048像素leD平板显示器件的封装

寸为0.35×0.28(mm),像素密度达10.21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不波长(λ)的白光透光率(τ)为:λ=400~600n

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261503.html2012/1/8 21:46:52

浅谈leD產生有色光的方法

等;反射或穿透型的物体採用光通量单位流明l,如lcD投影机等;而照度单位勒克司lux,一般用於摄影等领域。三种衡量单位在数值上是等效的,但需要从不的角度去理解。比如:如果说一部lc

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02

串行flash存储器在小型leD显示系统中的应用

c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a,b,c,D构成整个leD单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261491.html2012/1/8 21:45:57

采用一根微控制器端口引线来控制两个leD

源电压以及在每个leD中产生所需的“接通电流”(根据需要可以有所不)进行设计。设计参数为:v1=D1的关断电压(D1无可见光时的最坏情况最大电压)v2=D2的关断电压(D2无可见光

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261485.html2012/1/8 21:45:40

leD显示屏动态显示和远程监控的实现

有成熟的电路设计,故不再详细叙述。  具体的leD显示屏控制电路如图1所示。整个电路由单片机89c52、点阵数据存储器6264、列驱动电路uln2803、行驱动电路tip122、移

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261480.html2012/1/8 21:45:34

leD显示屏动态显示和远程监控的实现

有成熟的电路设计,故不再详细叙述。  具体的leD显示屏控制电路如图1所示。整个电路由单片机89c52、点阵数据存储器6264、列驱动电路uln2803、行驱动电路tip122、移

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261476.html2012/1/8 21:40:20

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