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晶科电子“e系列”产品是基于apt专利技术—倒装焊接技术，实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装，具有高亮度、高光效、高可靠性、低热阻、颜色一致性好等特点。
https://www.alighting.cn/news/2012312/n920438104.htm2012/3/12 11:51:07
子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17
2.2硅底板倒装法： 首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸led芯片（flip chip led）。同时制备出相应尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长gan基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
