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动mosfet。从性价比的角度来说，推荐使用需要浮动栅极驱动的n通道场效应晶体管(fet)。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路(其可用于维持内部电压高于输入电压)。 图1还显
http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/8/20/233233.html2011/8/20 9:22:00
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233179.html2011/8/20 0:24:00
向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
艿牟槐湓?则下,可在半导体内正负极2个端子施加电压, 当电流通过时,促使电洞与电子相互结合,其它剩鹞能量便会以光的形式?a生释放,其能阶高低使光子能量?a生不同波长的光,以致於造
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233160.html2011/8/20 0:19:00
是测试测量的考量要点。这些指标考验着开关电源的效率。晶体管开关电路在转换过程中消耗的能量最大，常用的测量包括闭点损耗、开点损耗、功率损耗、动态开点电阻、安全工作区（瞬时功率）。 再
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233153.html2011/8/20 0:17:00
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，被led吸
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233121.html2011/8/20 0:05:00
个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子和空穴就会被推向量子阱，在量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是led发光的原理。而光的波长也就是光的颜
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00
属线熔化、发热、高功率、闩锁效应其可见性不强损坏位置不易发现,短的eos脉冲损坏看起来像esd损坏通常导致晶体管级别的损坏。四、静电防护1.设定静电区域说明:在生产现场设定静电敏
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233077.html2011/8/19 23:53:00
片尺寸、芯片与环氧透镜之间的距离以及反射罩的形状等因素，共同决定了光线的观测角度。 生产二极管芯片的化学元素互相结合，配合能源因素，可延展生成光子，决定波长，进而决定灯光的色彩。le
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233068.html2011/8/19 23:51:00
