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高功率led封装厂台湾半导体照明公司(tslc)2013年12月30日举行新厂落成仪式，tslc传承前身高功率led封装厂采钰的晶圆级led硅基及氮化铝封装技术，让led封装元
https://www.alighting.cn/news/20140109/111360.htm2014/1/9 9:44:12
、碳化硅基板、阳极化铝基板等都有厂家在研究，但是现阶段都还有这样那样的缺陷难以大量应用，目前较成熟的方式还是薄膜氮化铝陶瓷，不过价格仍然限制其推广普及。至于风扇主动散热及电场自动风
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/1/3/346872.html2014/1/3 18:01:43
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
12月24日晚间，新海宜公告称，公司控股子公司苏州新纳晶光电有限公司于2013年12月24日收到通知，苏州工业园区将对其“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科
https://www.alighting.cn/news/20131225/111570.htm2013/12/25 9:55:46
近几年来，硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
三安光电(600703)公告表示，经第七届董事会第三十次会议决议，决定公司全资子公司厦门市三安光电科技有限公司新增国际先进的20台单腔机或者5台四腔连体机氮化镓mocvd设备及扩
https://www.alighting.cn/news/20131217/112297.htm2013/12/17 9:45:45
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，GaN/si基器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
受惠于led背光和照明急单涌进，台led厂本季传统淡季罕见的热闹，晶电与集团下广镓本季营运表现将优于预期，明年在中功率led成为主流带动下，晶电集团占有优势，明年led照明比重挑
https://www.alighting.cn/news/20131216/112521.htm2013/12/16 9:53:12
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
