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加了在法国里昂召开的cispr年会。 在实际应用中，某些工作频率低于100hz的灯具，例如led控制装置，hid方波电子镇流器等，这些控制装置或电子镇流器的频率很低，甚至为dc。按
https://www.alighting.cn/resource/2010224/V1084.htm2010/2/24 16:38:02
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的gan基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
电子材料或工艺目前无法剔除的缺陷隐患于led显示屏中,成为其在业界高端应用高可靠性要求的制肘,也是使用期间很多产品产生不菲的维护费用的根源;失点检测技术在led显示屏中的充分科
https://www.alighting.cn/resource/20110525/127551.htm2011/5/25 16:16:44
引脚式led芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对led支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对led支架回路光电流进
https://www.alighting.cn/resource/20120310/126683.htm2012/3/10 19:11:29
与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现alp-lo/to的相对强度比可以评定晶体algainp mqw的生长质
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127308.htm2011/8/16 11:30:27
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
o薄膜同类器件的1.24倍。适当厚度的纳米zno薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的平衡,从而提高了器件的效
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
关于静电击穿现象的解析报告，仅供参考。
https://www.alighting.cn/resource/20130222/126019.htm2013/2/22 13:34:51
本文简单阐述led在封装过程中，在透镜中出现的光损失情况。
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127235.htm2011/8/30 9:44:41
近年来，led在背光应用方面得到了长足发展，不但在小尺寸lcd显示屏的背光应用中得到普及，而且开始迈入需要更高性能和更长工作时间的中大尺寸lcd显示屏背光应用，如gps、p-dvd
https://www.alighting.cn/resource/20100114/128762.htm2010/1/14 0:00:00
