检索首页
阿拉丁已为您找到约 3506条相关结果 (用时 0.0107827 秒)

科锐推出低基面位错4h碳化外延片

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38

台湾联源光电砸70亿新台币建多晶

台湾景气复苏时点未有定论,厂商投资却缓步增温,由联华和联电转投资的联源光电多晶厂,正式获取“经济部”工业局新兴重要策略产业投资抵减优惠,投资规模可望超过70亿元。

  https://www.alighting.cn/news/200943/V19294.htm2009/4/3 10:31:30

赵汉民博士:衬底led技术或更适合于大尺寸外延

渠道为王,技术制胜。在6月9日-12日举行的亚洲led高峰论坛上,晶能光电作为此次cto技术交流大会的嘉宾,将以“衬底大功率led芯片产业化及应用”为话题探讨led技术。

  https://www.alighting.cn/news/2012514/n491239707.htm2012/5/14 11:35:19

日本信越化学开发出低透气低折射led封装材料

日本信越化学工业作为高亮度led封装的封装材料,开发出了降低了透气性的低折射率款新产品“ker-7000系列”。新产品备有邵氏a硬度为80的“ker-7080 a/b”及邵氏

  https://www.alighting.cn/news/20120220/115303.htm2012/2/20 9:07:24

基氮化镓在大功率led的研发及产业化

6月10日,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报

  https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40

衬底gan基垂直结构高效led的最新进展

附件为《衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40

晶能光电融资扩产基大功率led芯片

作为江西省led产业龙头企业和全球基led技术的领导者,晶能光电积极在高新区布局基led产业,吸引了多家企业入区配套,形成了led产业在高新区的集聚。目前其新一轮的融资已经完

  https://www.alighting.cn/news/2013513/n091151630.htm2013/5/13 13:22:36

衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

我国大直径半导体材料产业化突破性进

据国家发改委网站报道,目前,我国大直径半导体材料产业化取得新进展,北京有色金属研究总院、国家半导体材料工程研究中心和有研半导体材料股份有限公司联合攻克了0.13-0.10微米集

  https://www.alighting.cn/news/20060731/102032.htm2006/7/31 0:00:00

英飞凌300mm口径晶圆的功率半导体元件初期生产成功

目前功率元件中使用的晶圆口径最大为200mm。英飞凌市场营销及分销高级副总裁anton mueller自豪地表示,“我们是业界第一家”证实了采用300mm晶圆可以制造出与20

  https://www.alighting.cn/news/20111026/114298.htm2011/10/26 10:37:46

首页 上一页 29 30 31 32 33 34 35 36 下一页