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对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行表征。研究了eu3+、gd3+的掺杂浓度、表面活性剂的加入、煅烧温度对样品性能的影
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
线a光，波长介于315~400纳米，可穿透云层、玻璃进入室内及车内，可穿透至皮肤真皮层，会造成晒黑，也是皮肤老化、出现皱纹及皮肤癌的主因。uva可再细分为uva-2（320~34
http://blog.alighting.cn/light2all/archive/2013/5/26/317979.html2013/5/26 8:00:58
—玫瑰进发。结果如何，现在还无从定论。 基因奇迹：能在黑暗中发光的羊 让植物发光的基因移植技术并不算特别新奇。我国台湾的科学家已经成功把叫做“生物led”的发光金色纳米粒植
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/5/23/317824.html2013/5/23 22:45:01
、导线更细。几年前，一平方厘米的计算机芯片有2,000个晶体管而现在的奔腾机则超过10,000,000个。从而增加了计算机受电涌损坏的概率。由于计算机的设计和结构决定了它应在特
http://blog.alighting.cn/143340/archive/2013/5/22/317776.html2013/5/22 20:43:51
求，选用欧司朗hqi-bt400w/d光源电器进行配置灯具；3．眩光指数的保证，采用“乐清铭星照明电器”球场专用防眩光灯具，其特点◆ 选用纳米光触媒玻璃,能自动分解表面污渍,保持透
http://blog.alighting.cn/181701/archive/2013/5/22/317731.html2013/5/22 11:39:39
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
