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文中介绍侧导光led背光源的结构、基本原理和设计要点。运用光学原理阐明导光板将线光源转变为面光源的基本原理及导光板的散光点和结构的设计依据，并对其它材料的选用提供依据，为侧导
https://www.alighting.cn/2013/6/5 11:38:48
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
层(dbr)结构， 改变led 基底几何外形来改变光在led 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8 相结合技术在提高led外量子光效益方
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
建立了大功率发光二极管(led)器件的一种封装结构并利用有限元分析软件对其进行了热分析,比较了采用不同材料作为led芯片热沉的散热性能。最后分析了led芯片采
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125544.htm2013/5/31 11:11:23
采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(oled),其结构为ito/cupc(30 nm)/npb(40 nm)/tpbi(30 n
https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行表征。研究了eu3+、gd3+的掺杂浓度、表面活性剂的加入、煅烧温度对样品性能的影
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
善荧光粉层结构形状,以提高白光led器件的出射光斑均匀性。并通过九点法对不同工艺结构下led出射光斑的空间色度分布进行了测量和分
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125564.htm2013/5/27 10:37:19
本文讨论了可调光led照明应用的几个方面。降压式和反激式拓扑结构是两种常用拓扑结构。降压式拓扑为低功耗应用提供了非常紧凑和高效的解决方案，而反激式拓扑由于具有内部电隔离，对于要
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125566.htm2013/5/27 10:14:40
