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昨日，记者从市科技部门了解到，扬州市智能电网用高压大功率薄膜电容器关键技术、核电站用1e级特种控制电缆等39个项目获批国家火炬计划，立项数位列全省第二，创历史新高。
https://www.alighting.cn/news/20141031/n110266886.htm2014/10/31 17:03:04
到2015年，高亮度(hb)led的市场规模预计将达到202亿美元，自2012年算起的年复合增长率(cagr)将达到30.6%。驱动这种显著增长的重要应用领域之一是用于为薄膜晶体
https://www.alighting.cn/news/201385/n731754567.htm2013/8/5 11:12:03
在有源( am) 显示中, 控制oled的薄膜晶体管(thin film transistor, tft)通常制作于阳极一侧,这就要求tft必须是p型,而常规的非晶硅tft和多晶
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:15:36
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
点(quantum-dot)薄膜对色彩的提升最为关键。2015 年起，三星新年度电视新产品将一律采用qd 技
https://www.alighting.cn/2015/1/12 15:27:48
人们常采用低吸收的分布式布拉格反射镜( dbr )来作为微腔oleds的出光面, 但基于dbr的微腔oleds器件结构和制备工艺较复杂。而采用半透明金属薄膜电极的微腔oleds器
https://www.alighting.cn/resource/20141205/123971.htm2014/12/5 10:11:31
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
igzo为铟镓锌氧化物的缩写，非晶igzo材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。amoled是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板，amoled具有反应速度较快
https://www.alighting.cn/2014/8/18 11:03:46
d生产工艺中透明导电薄膜的主要材
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
igzo是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料，igzo技术具有低耗电量、高屏幕精度、高触摸性能等优势，据称未来iphone将采用igzo显示技术，那么igzo究竟有什么样的独
https://www.alighting.cn/resource/20140515/124564.htm2014/5/15 14:31:41
