检索首页
阿拉丁已为您找到约 877条相关结果 (用时 0.020796 秒)

microchip Dspic在leD照明的解决方案

microchip 公司的Dspic33f系列是高性能16 位数字信号控制器(Dsc),采用改进型哈佛架构和c 编译器优化指令集,具有16 位宽数据总线和24 位宽指令,3.0-

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 17:01:38

舞台灯光虚拟效果的设计与实现

研究运用3D 引擎ogre 来实际模拟舞台灯光虚拟效果,通过虚拟建模以及通过渲染引擎对舞台和灯光的渲染,来模拟现实中的舞台和灯光。本文主要实现了以下两个方面,一是运用3D

  https://www.alighting.cn/resource/2013/1/28/16382_18.htm2013/1/28 16:38:02

gan氮化镓(gallium nitriDe)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

低成本1w大功率leD实用驱动电源

大功率leD比日光灯具有更高的发光效率和使用寿命。人们应根据实际使用方式另外加装散热器。目前,国产3w发白光的leD零售价为15元,但由于3w大功率leD质量还不够可靠,暂不宜使

  https://www.alighting.cn/resource/20130124/126119.htm2013/1/24 14:47:06

不同衬底温度下plD 法制备的氧化锌薄膜的特性

利用gcr170型脉冲激光器nD:yag 的三次谐波(355nm),以蓝宝石al2o3(0001)为衬底,在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10

不同衬底生长zno薄膜的结构与发光特性研究

采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44

白光leD用红色荧光粉cawo_4:eu~(3+),li~+,bi~(3+)的制备与表征

采用预先球磨、再二次热处理的高温固相合成法,制备了一系列白光leD用红色荧光粉cawo4:eu3+,l i+,b i3+,利用xrD,sem和荧光光谱测试对其进行表征。

  https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:18:21

zno薄膜微结构变化对光电特性的影响

域态辐射中心D0。高温下o2对zno薄膜中本征缺陷的修饰,可以明显的改善zno薄膜的光电特性,这对zno薄膜的发光是有

  https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42

yv04:eu3+的eDta络合溶胶-凝胶法制备、发光及其应用

以eDta 为络合剂、采用溶股-凝肢法制缝了yv04 :eu3 + 荧光粉,并制备了发光二极管(leD) 。

  https://www.alighting.cn/2013/1/17 16:17:32

真明丽封装推出应用于照明、背光的emc系列leD产品

及成本趋势,慢慢迈向3rD generation leD-pkg emc。卓越的持久性与持续高反射特性,优良的热抵抗和uv阻抗新能,可用于模组结构(cob)压注模封装和陈列式封

  https://www.alighting.cn/resource/20130115/126160.htm2013/1/15 17:11:36

首页 上一页 29 30 31 32 33 34 35 36 下一页