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据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。东北大学原
https://www.alighting.cn/news/20110526/100302.htm2011/5/26 9:42:28
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
近日，rusnano、onexim group以及uomp公司签署了一份关于俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建了一个高技术的工业生产体系。
https://www.alighting.cn/news/20081217/96286.htm2008/12/17 0:00:00
东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究组与神奈川科学技术研究院（kast）宣布，共同开发出了在柔性底板上形成由氮化镓（GaN）构成的led技术。由于制造方法采用的是易于支持大面
https://www.alighting.cn/resource/20080229/128588.htm2008/2/29 0:00:00
GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注，成了近期半导体光源技术的发展热点，是许多国家政府能源战略关注的热门技术。
https://www.alighting.cn/resource/20061123/128478.htm2006/11/23 0:00:00
出。届时，兰州新区地产的第一颗蓝宝石晶体将“问世
https://www.alighting.cn/news/2014728/n997864289.htm2014/7/28 9:58:37
氮化镓晶体管的开关频率非常高，这种开关速度对驱动器中的线圈和储能电容的尺寸有很大的影响。氮化镓驱动器的开关速度比硅基驱动器的10倍。因此驱动可以做得更小更便宜，整个led灯更轻更
https://www.alighting.cn/resource/20140327/124727.htm2014/3/27 13:41:27
飞利浦lumileds公司(位于加拿大圣何塞市)与飞利浦research公司(位于荷兰艾恩德霍文市)的研究人员研制出一种使用电子晶体结构的蓝光led，在未封装的情况下，其光提取效
https://www.alighting.cn/news/2009324/V19168.htm2009/3/24 10:16:03
