站内搜索
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/3/318631.html2013/6/3 17:22:44
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
或改变输入电压等方法调光，调光范围太小。若使用大功率晶体管或场效应管，采用电子镇流器的形式，则可以大大改善荧光灯和其他气体放电灯的调光性能，增加其调光范围。如合迈光电在调光上的解
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2013/6/1/318434.html2013/6/1 14:15:50
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于GaN基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25
对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行表征。研究了eu3+、gd3+的掺杂浓度、表面活性剂的加入、煅烧温度对样品性能的影
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
有研稀土 夏天 摘要：本文研究了由GaN基蓝光芯片和不同颜色荧光粉组成的三个白光led系统，提出了改善白光led显色性的解决方案。研究结果表明，在蓝光led芯片与黄粉系统中，在一
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317940.html2013/5/25 12:29:01
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点中位
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
、导线更细。几年前，一平方厘米的计算机芯片有2,000个晶体管而现在的奔腾机则超过10,000,000个。从而增加了计算机受电涌损坏的概率。由于计算机的设计和结构决定了它应在特
http://blog.alighting.cn/143340/archive/2013/5/22/317776.html2013/5/22 20:43:51
