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日亚化学 (nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(InGaN)激光器所保
https://www.alighting.cn/news/20090616/104671.htm2009/6/16 0:00:00
华灿光电股份有限公司副总裁兼研发部经理王江波首先介绍了实现白光的两种方案，阐述了InGaN基led适合用于半导体照明的原因，并进一步讲解了影响高品质led的外延材料、芯片工艺、封
https://www.alighting.cn/news/20141126/108455.htm2014/11/26 10:58:41
台湾的璨圆光电股份有限公司所添置的crius? ii-xl反应器会用于量产基于InGaN材料的高亮度蓝光led外延片制造。爱思强当地的技术支持团队将会在该公司位于台湾的技术先
https://www.alighting.cn/news/20111208/114757.htm2011/12/8 10:05:18
日本led大厂日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的gan基板，配合制程与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(InGaN)激光
https://www.alighting.cn/news/20090616/120385.htm2009/6/16 0:00:00
铟镓(InGaN)二极管，在20ma电流驱动下产生28,000mcd的照明度，甚至在阳光直射下也清晰可
https://www.alighting.cn/news/20090617/120530.htm2009/6/17 0:00:00
欧司朗光电半导体的蓝光高电流芯片成功跻身于全球最低正向电压行列。由此，芯片效率最高可提升八个百分点。优化版氮化铟镓(InGaN)芯片搭载ux：3芯片技术，是蓝/白光led的基
https://www.alighting.cn/news/20150717/131073.htm2015/7/17 10:32:32
基于algan的uv led由于存在较低的内部量子效率、低撷取效率、低掺杂效率、极化电场大以及差排密度外延高等缺点，限制了uv led的高功率应用...
https://www.alighting.cn/pingce/20170217/148247.htm2017/2/17 10:22:52
所有无机铯铅卤化钙钛矿半导体由于其低阈值、高量子效率和低成本等独特的性质，对于纳米激光器、发光二极管（led）和太阳能电池等都具有巨大的应用潜力。
https://www.alighting.cn/pingce/20190402/161452.htm2019/4/2 9:55:46
本文考察了大功率led 量子效率衰落问题的研究进展并检测和比较了当前市场不同产品的大功率led性能，随着led 效率电流特性的逐渐改善，其最高效率所对应驱动电流开始超过额定电流。
https://www.alighting.cn/2014/10/23 11:25:52
led芯片结构的改变和量子点技术的引入，将为电视机背光源提供更好的选择。而led背光源在高亮度、高色域上的表现，将是未来1-2年发展的趋势和方向。
https://www.alighting.cn/news/20150422/84794.htm2015/4/22 11:06:26
