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p和InGaN led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasp、gap不可能达到的性能水平。目前，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的led都达
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262716.html2012/1/29 0:39:35
对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17
于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42
产技术是InGaN，但此技术仍有一些瓶颈需要克服，目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案，希望能进一步拓展hb led的市场。这些瓶颈中以静电释
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代，我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.１、ｌｅｄ芯片芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262635.html2012/1/29 0:34:47
小led温升效应的主要方法，一是设法提高元件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262630.html2012/1/29 0:34:32
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17
对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间） 2.4蓝宝石衬底过渡法： 按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
”生产白光led技术目前有三种：一种，利用三基色原理和目前已能生产的红、绿、蓝三种超高亮度led按光强1:2:0.38比例混合而成白色，二种，利用超高度InGaN蓝色led，其管
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262591.html2012/1/29 0:32:11
子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
