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氧气压强对pld制备mgzno薄膜光学性质的影响

使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在Si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

wifi太out, lifi有led光就能上网

Light fidelity)是利用快速的光脉冲无线传输信息,现在它已准备好与wifi展开竞争。根据不同速率在光中编码信息完全可行,例如led开表示1,关表示0,通过快速开关就能传输信

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/5/21/317716.html2013/5/21 18:54:21

the local led Lights control scheme

n enterprises associatednetwork of Light control system, to achieve the overall energy savin

  http://blog.alighting.cn/175775/archive/2013/5/21/317710.html2013/5/21 17:15:47

生长温度对Si衬底zno薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

led-definition

led (Light emitting diode), Light emittingdiode, is a solid state semiconductor device

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317213.html2013/5/15 10:56:00

led fluorescent four key technological i

d Light source, cooling, security, four keytechnologies.1 powerpower firstrequirement is

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/8/316738.html2013/5/8 9:06:07

氧分压对pld制备zno薄膜结构和发光性质的影响

采用脉冲激光沉积(pld)技术,在Si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气

  https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11

led thermal technology solutions provide

c ledLighting industry to make innovative contributions. led candle Light suzhouthermal ch

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/7/316667.html2013/5/7 10:03:49

herbert hans cybulska

5; art work with ligh

  http://blog.alighting.cn/178082/2013/5/3 17:34:30

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