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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、si）上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00
本文为东南大学吕家东先生关于《新一代led制造技术的几个关键基础问题》的研究，文中阐述新一代led制造中出现的共性技术问题，需要基础研究和理论提供支撑。创新（新原理、新方法、新设备
https://www.alighting.cn/2012/11/27 14:44:19
https://www.alighting.cn/news/20250513/177272.htm2025/5/13 15:36:51
led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
https://www.alighting.cn/resource/20161102/145726.htm2016/11/2 14:00:34
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、SiC和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：light emitting diode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/news/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
按照该协议的规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元的cree先进150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。
https://www.alighting.cn/news/20190122/160087.htm2019/1/22 10:40:02
