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led芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29

关注:浅析2012年led封装企业的现状!

装技术、复晶型led芯片封装、高压led。。矽基led之所以引起业界越来越多的关注,是因为它比传统的蓝宝石基底led的散热能力更强,因此功率可做得更大,cree就重点在发展矽基le

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/23/294390.html2012/10/23 21:35:10

真明丽自led照明垂直整合 跨入上游磊晶

led(发光二极管)灯饰公司真明丽继从灯饰跨入led封装后,将再跨入led上游磊晶,成为第一家在led照明进行垂直整合的台商,打破led产业过去横向整合的现象。真明丽表示,投

  https://www.alighting.cn/news/20071225/118839.htm2007/12/25 0:00:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262614.html2012/1/29 0:33:37

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271716.html2012/4/10 23:24:02

led大功率发光芯片常出现的2个问题

姆接触的情况下,发生了芯片电极在制备过程中蒸发首层电极时受到挤压印或夹印。另外封装过程中也可能造成正向压降低,主要原因有银胶固化不充分,支架或芯片电极污染等造成接触电阻大或接触电

  http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/17/359180.html2014/10/17 10:35:01

研究色温可调led的封装与性能事项

率较低,导致整体光效偏低。  第二种方法需要分别给三种芯片供电,驱动电路复杂,且三种芯片的老化衰减不一致,长期工作会导致色温偏移。  色温可调led的封装  led 的封装技术实

  http://blog.alighting.cn/shxled/archive/2012/10/29/295170.html2012/10/29 14:29:52

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