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led焊接条件 (1)、烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体4毫米。 (2)、浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120867.html2010/12/14 21:46:00
1、什么是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的p-n结。实验指出，当电流流过led元件时，p-n结的温度将上升，严格意义上说，就把p-n结区的温度定义为led的结
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
、发光强度单位（烛光 candle power） 1cd（烛光）指完全辐射的物体，在白金凝固点温度下，每六十分之一平方厘米面积的发光强度。（以前指直径为2.2厘米，质量为75.5
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
多。但由于高压钠灯是热光源，表面温度高，发热量较大，不能近距离照射作物。 金属卤化物灯是汞和稀有金属的卤化物混合蒸气产生电弧从而放电发光的一种气体发光光源。可通过改变金属卤化物组
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120855.html2010/12/14 21:42:00
始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快。在器件额定功率1w 附近,发光效率为13 lm/w 。发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
球温度比对。 b.焊线最佳参数比对。c.焊线弧高及弧度之范围,做弧高量测。 d.金线拉力试验。 e.晶球推力试验。 f.焊线能力评估。 注:以上项目评估时,需与现用品(同级品)同
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120559.html2010/12/13 23:07:00
而低粘度化的主要目的就是降低封装树脂的内应力，使其具有高填充性和可靠性，以使封装器件具有高可靠性。可采用的方法主要有三种：(1)降低封装材料的玻璃化温度；(2)降低封装材料的模
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
射和温度升高，封装材料的透明度研究下降[1－4]。众所周知，长时间接受紫外线的辐射会降低许多聚合物的光学透明度，而gan系统的带间辐射复合会产生紫外线，所以认为紫外辐射引起封装料退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
光集中到ｌｅｄ的轴线方向，相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型，其相应视角将增大。 一般情况下，ｌｅｄ的发光波长随温度变化为０．２~０．３ｎｍ/℃，光谱宽度随之增
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
