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s Dittmar architekt, mainz 景观：haralD heims, mainz 结构工程师：arup gmbh, DüsselDorf 陶瓷立面设
http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/232913.html2011/8/19 18:47:00
n, khaliD shannak, nisreen al far, niDaa tayyem, jawaD hamDan, lina asa’D, faiha khazna katb
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/8/19/232875.html2011/8/19 11:50:00
c consultant）: higini arau, arau ACústica m/e: frontier engineering / c.c.lee &am
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/8/19/232858.html2011/8/19 11:33:00
素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~60
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232836.html2011/8/19 1:10:00
寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~600n
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232825.html2011/8/19 1:00:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232826.html2011/8/19 1:00:00
c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a，b，c，D构成整个leD单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232812.html2011/8/19 0:21:00
源电压以及在每个leD中产生所需的“接通电流”(根据需要可以有所不同)进行设计。设计参数为：v1=D1的关断电压(D1无可见光时的最坏情况最大电压)v2=D2的关断电压(D2无可见光
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232805.html2011/8/19 0:07:00
为1，即置行移位寄存器的D为高电平，str使能（所有4094的oe 引脚接＋5v电平），从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232801.html2011/8/19 0:05:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232795.html2011/8/18 23:56:00
