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led的封装技术

料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。进入21世纪后,led的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新,红、橙led光效已

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gan外延片的主要生长方法

一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现状:mocvd 技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成

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led外延片(衬底材料)介绍

料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它具有标准pw所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。历史上,外延片是由si片制造商生产并自

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开

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发光二极管封装结构及技术

热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能 也十分重要。进入21世纪后,led的高效化、超高亮

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外延生长技术概述

状:mocvd技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材

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led隧道照明灯具的节能分析

现隧道照明洞内亮度跟踪洞外亮度实时变化的目标,人类已追求了一个多世纪。但由于传统光源的局限性,人类一直未能如愿以偿。白炽灯虽可进行无级调光,但由于其低下的光效使得其调光变得毫无意

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00

超高亮led的驱动芯片mlx10801的功能和应用

发光二极管(light emitting diode,led)发明于20世纪60年代,它是利用半导体材料中的电子和空穴相互结合并释放出能量,使得能量带(energy gat,)位

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led技术标准和检测方法

大的经济效益和社会效益。照明led标准及检测技术的现状国际照明委员会(cie)和国际电工委员会(iec)都没有关于照明led的标准。仅仅在上世纪90年代,cie曾经发表了一个一般le

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发光二极管封装结构及技术

架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能也十分重要。 进入21世纪后,led的高效化、超高亮度化、全色化不断发展创新,

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