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发射出峰值波长大于600nm的宽带发射。图1为不同铕含量下硫化物红色荧光粉的发射光谱。在不同的铕含量下,发射光谱的形状和发射峰位置几乎没有变化。但发射强度随着铕含量的增加,先增强
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
长(body growth)利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径,所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度,于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加,此辐射热源将致使固
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
用两步工艺生长gan外延片层。然后对外延片膜进行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan外延片层的生长,此时生长的ga
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能保持较高发光效率是led白光照明中的一个重要的课题。3)灯具系统的二次光学设计传统灯具长期以白炽灯、荧光灯光源为参照物来决定灯具的光学和形状的标准,因此led灯具系统应考虑摒弃传
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00
0.05mm)元件与pcb之间的间隙。最后温度将影响黏度和胶点形状,大多数现代滴胶机依靠针嘴上的或容室的温度控制装置来保持胶的温度高于室温。可是,如果pcb温度从前面的过程得到提
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底上喷涂了场致发光材料并夹在两层电极之间组成。el场致发光灯的 供应商可以通过使用不同的发光材料,比如硫化锌、硫化钙或硫化锶,再掺杂其他成份如镁、钐、铕或添加萤光染色剂等,来调整
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近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质 量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与
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用,通过数字控制和模拟电压控制技术,使el显示器具备很大的亮度调整范围,以降低亮度和功耗。planar qvga多色电致发光显示器电致发光显示器具有无与伦比的视角,无论是在水平方向还
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0原子层任意调整。由于在生长过程中,源气体分子只通过扩散到达衬底表面,并不相对衬底流动。所以克服了传统连续反应器中产生的气体"耗尽效应"。这种反应器的优点是,提高了外延层组分和厚
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难的。所以,目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝
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