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led芯片的制造工艺简介

理工序:工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

0-800℃范围内,基与生长温度无关,因此为实现生长速率的重复性,只需要严格地控制tmg的流量。这一点十分重要,也非常关键。(2)、生长温度和as/ga比这二个因素将影响材料的

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氮化镓衬底及其生产技术

次生长。今后研发的重点仍是寻找合适的生长方法,大幅度降低其成。2) al2o3衬底目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是al2o3,其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技

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我国半导体照明应用现状

3、未来市场(1)中大尺寸lcd背光源笔记电脑、液晶显示器、液晶电视(lcd tv)三大中大尺寸lcd面板,已被业界广泛认为是继手机背光的成熟稳定应用后,led背光正在进入的巨

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白光led照明驱动选择及其主要电路结构设计

2 功率开关原件设计  开关电源中的功率开关元件主要是功率晶体管、功率mosfet、功率igbt。设计中选功率三极管e13007,  同时配上散热片。开关频率定为40khz。  3.

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高亮度led的结构特点和应用

内照明将可能很快出现。led 制造商们只是刚刚开始解决高色温光源问题。由于高亮度 led 制造工艺、器件设计、组装技术三方面的进展, led 发光器的性能一直在提高,其成一直在降

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新时代的led背光元件发展趋势

k, 并让各原色的色纯度大大的提高。▲图二:三原色的led的光谱及彩色滤光片的分布特性。此外,在色域的表现,更可以得到更大范围的表现。 下表是日leiz所发表的三色led背光模组,

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基于cpld和embedded system的led点阵显示系统实现

以扩充了单片机缓存区大小,采用了8k字节的外部静态ram 6264。1.1 双口ram的应用采用双口ram是设计的一个主要特色。一般的ram(如6116)只有一套地址总线、数据总

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led发光原理及性能

角.4.发热是固体光源身的一个特点,led也是如此。它向所散发出的热是否可以及时导出或散发出去,将成为影响led寿命的一致使因素

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led照明的电源拓扑结构分析

指数倍递增。这就允许将led定型为带有一个串联电阻的电压源,其中带有一则警示说明:模型仅在单一的工作dc电流下才有效。如果led中的dc电流发生改变,那么该模型的电阻也应随即改

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