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、电流、亮度、发光效率等参数指标,为分析发光机理提供一定的依据。本文研究的重点内容是利用单片机控制和功率变换技术,采用一台自行设计的电压、频率、占空比均可调的驱动电源,作为分析有机电
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133840.html2011/2/19 23:23:00
、应用要求 1、驱动电路是一种专为led供电的特种电源,要具有简单的电路结构、较小的占用体积,以及较高的转换效率。 2、驱动电路的输出电参数(电流、电压)要与被驱动的le
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133836.html2011/2/19 23:22:00
c595,具有8位锁存、串一并移位寄存器和三态输出功能。每路最大可输出35 ma的电流(不是恒流)。一般ic厂家都可生产此类芯片。 由于led是电流特性器件,即在饱和导通的前提下,
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非隔离、连续/非连续等多种类型的转换器。当gate端输出高电平时,电感或变压器原边电感的储能将直接传给led串,而当功率mosfet关断时,储存在电感上的能量将会转换为led的驱动电
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133838.html2011/2/19 23:22:00
led是由电流驱动的器件,其亮度与正向电流呈比例关系。众多的便携电子产品均需要背景灯led驱动器解决方案,其具有以下特性:直流控制、高效率、pwm调光、过压保护、负载断开、小型尺
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133835.html2011/2/19 23:21:00
让led能够支持更大的电流,来让led产生更大的辉度,以目前的规格来说,一颗面积30um2 的led所能承受的最大电流为30ma左右,这样的结果还是无法符合在应用上「让led产生更大的
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出。但与卤素灯相比时,led的实际光输出的优势并不明显。最新的led具备出色的流明每瓦数值,但某些数值是在优化条件下取得的,而通常不是在最高输出条件下获得的。一般而言,当led的电
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化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,led的发光强度会相应地减少1%左
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大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的发光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有: 散热技术 传统的指示灯型led封装结构,一般是
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出高电平时,电感或变压器原边电感的储能将直接传给led串,而当功率mosfet关断时,储存在电感上的能量将会转换为led的驱动电流。 当vdd电压大于uvlo时,gate端可以输
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