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术相对成熟；不足方面虽然很多,但均一一被克服,如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服,导电性能差通过同侧p、n电极所克服,机械性能差不易切割通过激光划片所克服,很大的热失配对外延
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内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光led的基石,gan基led外延片和芯片技术,是白光le
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]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发
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、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊
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先在gan窗口上生长,然后再横向生长于sio条 上。4.悬空晶圆技术(pendeo-epitaxy)采用这种方法可以大大减少由于衬底和晶圆层之间晶格失配和热失配引发的晶圆层中大
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好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收
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而,如果最终的设计是要使 led 的光输出和工作寿命最佳,则高亮度 led 的夹具就需要一定的热设计。因此,虽然不会很快看到高亮度 led 把传统钨丝灯或荧光灯从五金店和家庭中心货
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围之内等等的规范。在cie平均化led光度采用了cie127标准的规范,也就是说,所谓的cie平均光度是指,从led的顶点开始往下成为一垂直线作为测光轴,直到led圆锥底面形成的圆
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w的发光效率。例如在白光led覆晶封装的部分,由於发光层很接近封装的附近,发光层的光向外部散出时,因此电极不会被遮蔽的优点,但缺点就是所产生的热不容易消散。而并非进行晶片表面改善
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等化。有关温升问题具体方法是降低封装的热阻抗；维持led的使用寿命具体方法,是改善晶片外形、采用小型晶片；改善led的发光效率具体方法是改善晶片结构、?裼眯⌒途?片；至于发光特性均
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