检索首页
阿拉丁已为您找到约 7296条相关结果 (用时 0.2290104 秒)

led封装对光通量的强化原理

面的gaas使p-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收,造成光能的浪费,因此改用透明的gap材料来做基板。又如日本日亚化学工业(nichia)在gan的led中,将p型电极(p type)部

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

外延生长技术概述

料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研制 的mocvd设备(一种非常特殊的反应室结构),于1994年首先生产出高亮度蓝光和绿光发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led的外延片生长技术

术难度相对较大。7.开发「光子再??圈」技术日本sumitomo在1999年1月研制出znse材料的白光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜,通电后该薄膜发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00

el显示(薄膜型电致发光显示)技术

发的。el开发成功后,由四家公司商业化:美国平达系统公司(planar systems, inc.),芬兰finlux公司,日本夏普电子公司,以及日本电装公司。该技术的最初应用广泛且多

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00

氮化镓衬底及其生产技术

衬底上生产。目前只有日本几家公司能够提供氮化镓衬底,价格奇贵,一片2英寸衬底价格约1万美元,这些衬底全部由hvpe(氢化物气相外延)生产。hvpe是二十世纪六七十年代的技术,由于

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

gan外延片的主要生长方法

为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术。目前已经在砷化镓、磷化铟等光电子材料生产中得到广泛应用。日本科学家nakamura将mocvd应用氮化镓材料制备,利用他自己研

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

led与太阳能结合的照明技术

日本在测试应用中,大规模商业化的脚步正在加快。由于led的工作电流是直流,且工作电压较低。太阳电池将光能转化为直流电能,且太阳电池组件可以通过串并联方式组合得到实际需要的电压。这

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00

我国半导体照明应用现状

装企业正在积极开展技术研发或引进设备,以提高生产能力和产品品质。特别是近年日本、韩国小尺寸液晶背光厂正在向中国转移。(5)汽车应用国内led汽车灯具市场已超过10亿元。2006年中

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00

led晶圆技术的未来发展趋势

子复合直接发出白光。该方法提高发光效率,可降低成本,降低包装及电路的控制难度;但技术难度相对较大。7.开发「光子再循环」技术日本sumitomo在1999年1月研制出znse材料的白

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

日本教授口亚绀意外发现led灯对神经细胞有影响

日本来台在中央大学化工材料系任教的教授口亚绀意外发现,利用led(发光二极管)照射神经细胞,可促进神经细胞的生长与串联方向,未来半年到一年可望进行动物实验,希望突破脊髓损伤治

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229920.html2011/7/17 23:17:00

首页 上一页 315 316 317 318 319 320 321 322 下一页