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造流程是：首先在外延片顶部的P型gan上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触

http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00

题，这是目前主流的大功率led的生产方式。美国lumileds公司于2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的P型ga

http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00

面的gaas使P-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收,造成光能的浪费,因此改用透明的gaP材料来做基板。又如日本日亚化学工业(nichia)在gan的led中,将P型电极(P tyPe)部

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled)，具体做法是：第一步，在P型外延层上沉积厚度大于50nm的niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀P型

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00

制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled)，具体做法是：第一步，在P型外延层上沉积厚度大于50nm的niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀P型

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00

t,taiwan　　舞台机械（stage mechanical）: ángel Pérez sellers. thyssen kruPP sPain　　声学（acousti

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2011/8/19/232858.html2011/8/19 11:33:00

明)与该光源所消耗的电功率P(w，瓦)之比(单位是流明/瓦，或lm/w)，即：η=φ/P(lm/w) 这是复旦大学电光源实验室给发光效率下的定义，这是我国最高权威的电光源研究机构。所

http://blog.alighting.cn/runlite-led/archive/2011/9/24/238932.html2011/9/24 14:55:10

t,taiwan　　舞台机械（stage mechanical）: ángel Pérez sellers. thyssen kruPP sPain　　声学（acousti

http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246791.html2011/10/20 17:21:07

型指示灯或非全彩的字符显示器件应用。1.2 led的简明原理完全纯净的半导体称为本征半导体。如果在本征半导体分别扩散不同的杂质，就会各自形成P型半导体和n型半导体。此时将会在P型半

http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57

t,taiwan　　舞台机械（stage mechanical）: ángel Pérez sellers. thyssen kruPP sPain　　声学（acousti

http://blog.alighting.cn/112256/archive/2012/2/20/264521.html2012/2/20 19:13:34