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新型硅上氮化镓(gan-on-si)几款产品的规格书都给出的是350ma驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9v时，色温5000k，显色指数为70的tl1f1-nw0,l光效
https://www.alighting.cn/pingce/20130105/121950.htm2013/1/5 9:36:01
中国赛西（广州）实验室市场经理
http://blog.alighting.cn/lizhiji123/2015/3/12 20:17:30
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/11/22/9331.html2008/11/22 9:59:00
为了简化分析过程，进一步理清涉及到led芯粒本身的失效机理，本文对所取样的led芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发，通过研究不同波段的gan led在加速电流应力条件下表
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断，本样品不灌胶，目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。
https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20
本文介绍了有源oled的像素驱动电路,分析了彩色灰度实现方法,提出了时间子场的数字灰度技术结合数字像素电路的驱动电路设计方案。
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125607.htm2013/5/14 11:32:35
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光led.与外延材料未转移
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片内
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时si
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
