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代，1963年popE报道了蒽单晶片在400V电压的作用下的发光现象。直到1987年c. w. tang[2]等人首次采用双层器件结构得到了高性能的olEd后，olEd技术才引起各国专
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对较低。最简单的方法是使用电阻限制lEd的电流，但该方法并不适合采用额定电压为12V或24V电池的系统，因为电池的实际电压是从6V至18V或12V至36V。因此，如果需要保持亮
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个cpu分地独立的访问内部资源。 图1 系统原理框图 将idt7132的2k字节存储空间分为2个显示缓存E1区和E2区，分别占1k字节的空间。cpu1通过p1.1和
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用bicmos工艺设计的pwm高效lEd驱动控制芯片。它在输入电压从8V(dc)到450V(dc)范围内均能有效驱动高亮度lEd。该芯片能以高达300khz的固定频率驱动外部mos-fE
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. 可以控制3路lEd，通过寄存器设定方式可以产生出128种彩色出来。d. 由于利用了人眼的间歇特性，进行pwm扫描，让实际需要电流变得更小。E. 芯片供电3.3V~7V宽范围供
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至48V直流电供电的dc-ac逆变器。 lEd总体考虑 lEd已被广泛用于小型显示器中。对于尺寸较大的显示器，由于ccfl背光的功耗较高，并且在某些情况下含汞量过
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m317或lm317hV 如图6所示，将lm317hV稳压器用作lEd驱动器。 lm317hV将adj与out之间的电压稳定在1.23V，此
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凑和极具成本效益的热关断电路。VthErm跌落至1.2V内部基准电压以下时，比较器a将En拉低到地。当热敏电阻(r2)温度很高时，就会执行该操作。比较器b用于提供开路失效保护功能，即
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源等优点，正被越来越多的嵌入式系统采纳。系统中使用intEl xscalE系列的pxa255芯片，与arm V5tE指令集兼容，沿用了arm的内存管理、中断处理等机制，并在此基础上
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r系列attiny13微控制器电路，其具有1kb程序存储器、一个四通道10位adc，以及6个通用i/o 口。调整电路固件就可以实现0~5V输入电压范围内的线性或对数型转换。
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