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2.2硅底板倒装法： 首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸led芯片（flip chip led）。同时制备出相应尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24
光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58
半导体照明是21 世纪最具发展前景的高技术领域之一，其封装是连接半导体照明产业和市场的纽带。本文对功率型led 的封装特点作了简要的叙述，对正装式led 和倒装式led 两种封
https://www.alighting.cn/resource/20111203/126820.htm2011/12/3 16:56:47
本文为晶科电子(广州)有限公司工程部陈庆坚先生所做的关于倒装焊芯片的讲座，为重详细讲解了三种路线的比较以及倒装焊模组的优势之处，设计热管理，可靠性等诸多方面，推荐下载；
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126941.htm2011/10/31 18:04:02
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
led光效是衡量光电转换器件是否节能的一个重要因素，如何提高led光效使其达到节能的效果，本文从透明衬底技术、金属膜反射技术、表面微结构技术、倒装芯片技术四个方面介绍了提高led
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/21/113338_44.htm2011/10/21 11:33:38
目前，国内大部分的外延芯片企业涉及到led显示屏的领域，显示屏领域成为国内led芯片企业的重要的应用终端，那么如何提高led显示屏的发光效率成为一个重要的课题。
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127181.htm2011/9/7 17:10:36
叙述了正向电压法测量功率型led温度系数k和热阻的原理,介绍了测试装置及具体测试过程,对蓝宝石衬底正装led和硅衬底倒装led的温度系数和热阻进行了测量。选用热阻已知的led样
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127243.htm2011/8/29 15:21:17
