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高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着中国芯片领域的发展。除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率led芯片的量产外，中国芯片企业在硅衬底氮化镓基led研究上并无大的突
http://blog.alighting.cn/2803984315/archive/2014/8/19/356360.html2014/8/19 15:53:34
是有效的。 与开关恒流方式比较 六、led组合化封装是未来发展趋势 模组的组合设计能有效的降低一次性封装成本;分散的封装形式有利于减低散热设计成本;选择国产的铝基pcb板
http://blog.alighting.cn/smartlight/archive/2014/8/13/356002.html2014/8/13 15:35:19
上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光gan基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。就gan基材料
https://www.alighting.cn/news/2014729/n156664358.htm2014/7/29 10:18:51
高亮度led制造如今是否应该更加重视工艺控制?如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验?
https://www.alighting.cn/2014/7/29 10:16:25
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
10日从南昌高新区获悉，晶能光电公司日前宣布，该公司硅基氮化镓led技术取得重大突破，开发出用于智能手机的高性能硅基led闪光灯产品，并刚完成新一轮融资计划筹得8000万美元，计
https://www.alighting.cn/news/2014711/n753963675.htm2014/7/11 17:44:18
sic功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(sic)与硅基氮化镓(gan-on-si)，凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
在新基板技术中，有望大幅降低制造成本的，是在si基板上生长gan晶体的“gan on si”技术。该技术最近突然开始受到关注。
https://www.alighting.cn/news/20140627/87361.htm2014/6/27 9:44:04
led肯定会是中国领导全世界的产业，不管是led的创新还是成本控制，还是国家政府的支持，其实完全符合全世界的潮流，就是往节能这方面去走。所以我相信这个产业将来会是中国
https://www.alighting.cn/news/20140626/85230.htm2014/6/26 16:30:33
