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本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
副秘书长; 联建光电有限公司独立董事。 获奖情况： 在led应用方面已经进行的研究包括： 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题; 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49
英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓led。型号为plw114050，目前正在出样，这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
台积电转投资led照明公司台湾半导体照明(tslc)以高功率led灯珠，独步台湾采用晶圆级led氮化铝基板封装制程，提供高性价比的解决方案。
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121665.htm2013/12/3 8:52:08
到较高的良率。优势：通过mocvd技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层，由p/n结髮光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56
美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作，在纽约州水牛城建立半导体制造工厂，并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品，预计将在2015年投
https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30
bluglass已经定制了一款前端生产thomasswanmocvd系统，可在一次生长中生产19x2英寸(或5x4英寸或高达8英寸)的led晶圆。该系统已经完成定制，并能够生长多量
https://www.alighting.cn/news/20131121/111498.htm2013/11/21 10:36:35
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比，基于氮化铝镓(alGaN)材料的深
https://www.alighting.cn/news/20131121/n235158444.htm2013/11/21 10:23:08
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在GaN on GaN技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今GaN o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50
