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led厂商隆达广本季挂牌上市

友达集团旗下的隆达及晶电集团的广等2家led厂都将在本季挂牌,隆达预计8月底挂牌,广则计划在9月挂牌。

  https://www.alighting.cn/news/2011810/n465933792.htm2011/8/10 8:35:54

中国梦的中国芯:晶能光电硅衬底大功率led芯片

晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05

一种能提高led发光材料质量的新技术

研究人员介绍,通过该技术,相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能,对于低电能输入和紫外发光范围的led而言,这种增长非常可观。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123078.htm2011/2/11 13:28:54

日住友金属矿山子公司量产150mm直径蓝宝石基板

日本住友金属矿山公司于2012年11月15日宣布,已在其全资子公司大口电子(日本鹿儿岛县伊佐市)设置了150mm(6英寸)直径蓝宝石基板的生产线,并已开始量产。生产能力为1万块/月

  https://www.alighting.cn/news/20121119/n420745901.htm2012/11/19 11:30:14

厚度对gan薄膜的发光性能的影响

研究发现不同厚度gan 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03

[研发故事] 率先让蓝色led发光的赤崎和天野(下)

赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下,制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结构

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

gan基功率led电应力老化早期的退化特性

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种led的反

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

标准gan外延生长流程

本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。

  https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49

大功率led设计法则

本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;

  https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24

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