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LED晶粒/芯片制造流程

近几年人们制造LED晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化(gan)基的晶圆(外延片),晶圆所需的材料源(碳化硅sic)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之

  https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09

产能提升 广10月营收续创新高

LED上游磊晶厂的广光电,受惠于LEDtv热卖,蓝光LED大量缺货,产能持续满载,10月业绩续创历史新高,营收2.95亿元新台币,较去年同期成长74.71%。

  https://www.alighting.cn/news/20091112/V21674.htm2009/11/12 10:25:55

蓝宝石表面处理对氮化光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59

蓝宝石表面处理对氮化光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53

2012年gan LED市场将逐步回暖

ims research最新一季氮化LED供求报告结果显示2011年gan LED封装收入比去年减少6%,预计gan LED市场在2012年至2015年期间会逐步回暖,并且由

  https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54

氮化物基LED光效下降 非直接俄歇效应是主因

LED光衰(LED droop)是由俄歇复合(auger recombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的,三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发

  https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25

英国专家用半极性gan生长高效益LED

英国雪菲尔大学(sheffield university)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(applied physics letter)期刊上发布在半极性氮化(ga

  https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40

欧司朗蓝光 LED 芯片效率实现质的飞跃

欧司朗光电半导体的蓝光高电流芯片成功跻身于全球最低正向电压行列。由此,芯片效率最高可提升八个百分点。优化版氮化 (ingan) 芯片搭载 ux:3 芯片技术,是蓝/白光 le

  https://www.alighting.cn/news/20150325/83777.htm2015/3/25 10:26:24

vishay推出新型0.9mm 厚LED

vishay intertechnology公司推出采用氮化(ingan)技术、具备低电阻及高光功率特性的全新暖白色smd LED──vlmw611..与vlmw621..系

  https://www.alighting.cn/news/20080314/119690.htm2008/3/14 0:00:00

LED汽车照明市场蓄势 稀有金属铟与迎机遇

随着城市化进程的推进及高效环保照明的推广,LED行业在近些年得到了较快发展。全球LED各应用领域中,通用照明和汽车照明领域为增速最快的市场,成为推动未来LED市场规模快速增长重

  https://www.alighting.cn/news/20140925/88353.htm2014/9/25 11:00:04

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