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装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电流的功率型le
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
用，都比较完善。可以很方便买到生产设备和原料，接单也容易。”重复建设成隐忧谨防蹈多晶硅覆辙据广东省省情调查研究中心相关报告显示，广东led企业主要位于产业链的中、下游，核心芯片特别是大
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271124.html2012/4/10 20:55:04
电的多少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271122.html2012/4/10 17:21:37
图2所示r20），用于决定调光器何时开启硅控整流器 （scr）。需要这样做的原因是，调光器在三端双向可控硅开关组件旁边有一个电磁干扰 （emi） 抑制电容器，其在无负载情况下的电
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271120.html2012/4/10 17:18:48
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271116.html2012/4/10 17:15:45
是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
好的发展前景： ①国内一些企业拥有核心知识产权，如晶能光电的硅衬底氮化镓蓝光项目，大连路美的芯片领域核心技术，都具有全球竞争力，这些企业在技术发展上容易形成示范效应，促进国内企业市
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/4/1/270008.html2012/4/1 13:24:50
