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大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

纤锌矿gan柱形量子点中类氢施主杂质态

在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点

  https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12

氧气压强对pld制备mgzno薄膜光学性质的影响

使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

氮化镓低维纳米结构的制备与表征

.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备gan纳米结构形貌特征的影响.对两种gan纳米材料的拉曼散射光谱进行了分

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04

管型基元led的研究

该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12

基于led光源的积分浊度仪的系统设计

散射系数是气溶胶光学性质的重要参数之一。为了研究气溶胶光学性质,研制了一种用于测量散射系数的积分浊度仪。介绍了该仪器的工作原理、系统结构设计,对该仪器中最为重要的光学测量腔室和光

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 12:01:35

高速半导体发光二极管的研究

研究了led的高速调制特性,提出了电流限制层结构,在led器件的驱动电路上增加一对并联的rc元件的新的设计思想,该技术在工艺上很容易实现且在改善高速led性能方面有实际应用价值。

  https://www.alighting.cn/2013/5/16 11:50:13

采用mocvd方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

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