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-面ito电极，取代的是涂布型透明电极工艺结合pet薄膜形成无金线的封装模
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127316.htm2011/8/15 10:25:28
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
从芯片的演变历程中发现,各大led生产商在上游磊晶技术上不断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127971.htm2010/7/12 16:48:04
日前，清华大学工程物理系技术物理研究所利用离心分离技术获得了同位素纯硅-28，并与本校微电子所合作，在普通硅片上外延成单晶状硅-28薄膜，并采用这种特殊的硅片研制出两种基本的微电
https://www.alighting.cn/resource/20040910/128412.htm2004/9/10 0:00:00
和核能研发一样，各类太阳电池的研究与应用也是人类解决未来能源问题的途径之一。中科院等离子体所于1994年提出开展染料敏化纳米薄膜电池研究，主要目标是满足西部贫困地区缺电居民的日
https://www.alighting.cn/resource/20061015/128477.htm2006/10/15 0:00:00
欧司朗光电半导体公司（osram opto semiconductors）生产的面积1mm2的红色芯片采用最新的ingalp薄膜技术，亮度值超过300 lm。该芯片主要针对投影应
https://www.alighting.cn/resource/20070704/128511.htm2007/7/4 0:00:00
南韩三星sdi参考展出了厚度为0.37mm的2.4英寸oled面板（图1、图2）。形成有tft的玻璃底板厚0.05mm，oled组件的封装采用了透明薄膜（图3）。此外，还采用了
https://www.alighting.cn/resource/20071030/128554.htm2007/10/30 0:00:00
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
日前，晶元光电联合台湾仪科中心，以及中央大学薄膜技术中心，将先进材料石墨烯应用于uv-led的制造技术，预期可提升uv-led制造技术水平，达到与美、日大厂并驾齐驱的境界，推估年
https://www.alighting.cn/news/2014924/n678865944.htm2014/9/24 15:46:14
a greentech表示，公司已经和design led products达成协议，后者专注于研发一种被称为"光砖"的高效能led技术 - 把led嵌入到透明薄膜
https://www.alighting.cn/news/2014827/n527665291.htm2014/8/27 17:27:16
