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史上最全led散热问题(一)

为了改善led芯片本身的散热,其最主要的改进就是采用导热更好的材料。早期的led只是采用si硅作为。后来就改为蓝宝石作为。但是蓝宝石的导热性能不是太好,(在100

  https://www.alighting.cn/resource/20140526/124550.htm2014/5/26 11:11:04

npss-纳米图形化蓝宝石——2019神灯奖申报技术

npss-纳米图形化蓝宝石,为山东元旭光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190313/160796.htm2019/3/13 10:10:10

蓝宝石分子束外延生长gan薄膜的原位椭偏光谱分析

通过研究蓝宝石分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45

牛津仪器针对6英吋设备首次推出hvpe设备

展望2009年,牛津仪器针对6英吋设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石,并在gan沉积之前帮助产生图案化特徵。一旦沉积完成,设备也能对蓝宝

  https://www.alighting.cn/news/20081229/105808.htm2008/12/29 0:00:00

6英寸蓝宝石led制造的转移被推迟

rubicon面临的主要困难是主要制造商推迟了向6英寸蓝宝石led制造的转移,只有德国的欧司朗光电半导体已经实现了这一转移。rubicon称其向led制造商供应的6英寸蓝宝

  https://www.alighting.cn/news/20120228/99664.htm2012/2/28 13:41:42

国内首台高端led芯片制造用icp刻蚀机交付使用

足蓝宝石图形化刻蚀、si刻蚀以及gan基外延层刻蚀等led领域所有刻蚀应

  https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00

ge上gainp_2材料的生长研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lpmocvd设备,在(100)面偏(110)面9°的ge单晶上外延生长了gainp2材料,研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、生长速率等生长参数

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:55:26

低电压、低功耗模拟电路设计方案

本文研究了驱动mos管技术和运用这一技术进行低电压低功耗模拟电路设计的方法,并且运用这种技术设计低电压低功耗驱动跨导运算放大器和电流差分跨导放大器。

  https://www.alighting.cn/2014/12/31 11:00:28

晶能光电:中国梦 中国芯

6月10日,在广州举行的2013年新世纪led峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅氮化镓大功率led的研发及产

  https://www.alighting.cn/news/2013618/n757852788.htm2013/6/18 9:12:28

硅基氮化镓在大功率led的研发及产业化

6月10日,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅氮化镓大功率led的研发及产业化”的报

  https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40

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