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提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
区和青少年乐园三部分组成,儿童乐园将配备旋转木马等一系列儿童游乐项目,家庭游乐区则以摩天轮为主体,底 部设有观景台及餐厅,青少年乐园内设卡丁车轨道、游戏机等适合青少年游乐的项目。
http://blog.alighting.cn/yakeys123/archive/2014/10/23/359480.html2014/10/23 11:08:25
决。我们用三部分间接照明构成了大堂主要的照明方案，即：利用内外墙上部交汇处的楔形空间设置投光灯具向上照射外墙面上部（实际上是屋顶）；在两层连廊的底部随连廊底曲线走向设置间接照明灯
http://blog.alighting.cn/sandi/archive/2014/10/22/359401.html2014/10/22 11:41:22
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发”氮化镓”(gallium nitride、gan)衬底，封测
https://www.alighting.cn/news/20141021/n168566551.htm2014/10/21 9:55:55
粉，互补得到白光。蓝光芯片的初始光通量及光维持率是决定此种芯片提高led的照明效率。 而蓝光led芯片的初始光通量是随着外延及衬底技术发展而提升的。封装技术和导电技术及散热环
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/15/359057.html2014/10/15 10:11:23
从目前实验的结果来看，晶片对光衰的影响分为两大类：第一是晶片的材质不同导致衰减不同，目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结构设计为单电极，其导热效果比较好，蓝宝
https://www.alighting.cn/2014/10/13 14:02:58
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
品基本性能的基础上(这方面需要相关标注来衡量，也折射出当前标准的缺失和不规范)、在不低于成本的基础上(成本的概念应该包括合理的让企业生存和可持续发展的最低利润)所制订的价格。说到
http://blog.alighting.cn/smartlight/archive/2014/10/11/358904.html2014/10/11 15:42:08
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
