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红外辐射：波长大于可见辐射的光辐射。辉光放电：阴极的二次发射远比热离子发射强得多的放电形式。
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263195.html2012/1/29 23:38:51
刻的同仁应该都知道，现在r3t在德国muegge旗下。这个蚀刻机用的是纯化学的方式蚀刻，没有离子损伤，没有有机残留物，没有热冲击（仅依***反应能量进行）对金属(如镍, 镍/铁,
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262807.html2012/1/29 0:46:19
粉，芯片发出的蓝光与荧光粉发出的黄光互补形成白光。该技术被日本nichia公司垄断，而且这种方案的一个原理性的缺点就是该荧光体中ce3＋离子的发射光谱不具连续光谱特性，显色性较差，难
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262755.html2012/1/29 0:43:06
是将精密机械氧造概念引入半导体氧程中,以自行设计的设备,结合反射镜及低温热压式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262754.html2012/1/29 0:43:03
动，3串led晶粒发光，负半周沿绿色通路流动，又有3串led晶粒发光，四个桥臂上的led晶粒轮番发光，相对桥臂上的led晶粒同时发光，中间一串led晶粒因共用而一直在发光。图3：a
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22
具选用的驱动ic必需有足够的电流输出，设计产品时必需使驱动ic工作在满负输出的70-90%的最佳工作区域。使用满负输出电流的驱动ic在灯具狭小空间散热不畅，容易疲劳和早期失效。 3
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262729.html2012/1/29 0:41:03
- 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
电电压超过100v时，这是应该采用去离子风机消除物体表面静电。注：不可在防静电区域内放置与生产活动无关的物品。3.环境湿度要以50%~60%左
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262715.html2012/1/29 0:39:30
谓的平板电视(液晶和等离子)取代传统crt(彩管)电视的阶段。液晶面板产能增加、技术的快速演进以及整机材料与制造成本的快速降低等是平板电视迅速普及的主要推手。 2004年lc
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262712.html2012/1/29 0:39:22
0～30kω电阻后可作为负秒脉冲信号输出线； ＋5v，gnd：接dc电源＋5v和电源地； sd，sck，stb：静态显示用串行数据线；同步脉冲线和显示同步输出线； sel：此脚悬
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