站内搜索
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
本论文的研究和设计工作重点是led照明驱动电源和led照明灯具的配光,主要创新工作如下: 第一,在归纳了一般led照明对驱动电源要求的前提下,以led的电学特性为基 第三,根据城
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127185.htm2011/9/7 10:10:59
介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从gan基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led，gan基蓝、绿、紫和紫外线le
https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放(esd)损害和热膨胀系数(tce)等效能瓶颈;本文将提出一套采次黏着基台(submoun
https://www.alighting.cn/resource/20101027/128261.htm2010/10/27 14:12:39
根据目前半导体照明的最新研究进展，gan基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问
https://www.alighting.cn/resource/20100821/128303.htm2010/8/21 15:10:14
随着发光材料与发光技术的不断革新，半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品，尤其是氮化镓基（gan）白光led照明光源体积小、重量轻、方向性
https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00
