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需求增长 带动GaN先进衬底出现爆发性增长

strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出,目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长,这将推动类似GaN和aln等先进衬底市

  https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00

硅衬底上GaN基led的研制进展

ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光器,紫外光探测器,以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底,目前高质量的GaN膜通常都生

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

硅衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度高且成本昂

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

ims research:2011年led供应链蓬勃发展

2011年4月1日——上海:ims research最新一季的GaN led供求报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。

  https://www.alighting.cn/news/20110411/90603.htm2011/4/11 9:47:57

GaN同质外延和竖直结构led

本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义,现在经张国义教授的同意,发布于新世纪led网平台分享与大家,希望能够对大家

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36

GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/resource/20140915/124307.htm2014/9/15 10:17:12

GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/8/28 11:07:01

GaN组件和amo技术实现更高效率与宽带

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/7/28 10:33:22

GaN外延片的主要生长方法

止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家:德

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

bluglass获政府500万基金支持

2007年9月11日,澳大利亚bluglass公司(开发低成本制造GaN晶片方法)获得澳大利亚工业局(ausindustry) "commercial ready grant

  https://www.alighting.cn/news/20070916/117228.htm2007/9/16 0:00:00

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