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属基导热界面材料在不同环境温度条件下,应用于hpled灯具模型中的第二界面处时对灯具散热情况的影
https://www.alighting.cn/2012/9/21 17:42:51
本文主要对美国和日本所制定的关于发光二极管(led)的测试规范中一些需要注意的问题和测试方法进行了总结和归纳，并提出了建议，希望为我国制定半导体照明技术标准提供参考。
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/20/11223_66.htm2012/3/20 11:22:03
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
为了满足日益增长的市场需求，昭和电工集团(sdk)研究出一种制造氮化镓(GaN)基及其他氮化物基优质复合半导体的新工艺，主要用于蓝色和白色发光二极管(led)。
https://www.alighting.cn/resource/20070312/128484.htm2007/3/12 0:00:00
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
https://www.alighting.cn/resource/20050823/128888.htm2005/8/23 0:00:00
在设计led恒流源时为保持严格的滞环电流控制，电感必须足够大，保证在ho，on期间，能向负载供应能量，避免负载电流显著下降，导致平均电流跌到期望值以下。
https://www.alighting.cn/2014/10/17 10:25:33
