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aixtron: 受惠于蓝宝石基板降价,2010年4吋mocvd设备将成为主流

aixtron大中华区副总裁 christian geng博士及营运处长bernd wachtendorf专访: 受惠于蓝宝石基板降价,2010年4吋mocvd设备将成为主

  https://www.alighting.cn/news/20090804/86128.htm2009/8/4 0:00:00

日本电器化学与daiwa合资成立led散热基板新事业

日本电器化学公司(denka)与拥有led散热机板技术「agsp」的日本daiwa工业日前正式宣佈将合资新事业,将针对具备高导热係数的led高性能散热基板进行研究开发、制造与贩售。

  https://www.alighting.cn/news/20070426/106598.htm2007/4/26 0:00:00

基于pc的led外延片无损检测扫描系统

介绍了对新型发光二极管外延片光致发光系统的改进 , 以vc.net为语言工具编制软件 , 对发光二极管外延片关键性能参数的测量结果进行分析。

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22254.htm2009/12/21 9:17:14

2012年led外延芯片成产业热点关注

“2012年,在led外延芯片领域,竞争必然更为激烈,特别是led外延芯片标准、最新技术研发趋势、市场竞争与价格走势等几个方面将是整个led行业值得重点关注的方向。”

  https://www.alighting.cn/news/20120222/89685.htm2012/2/22 9:13:04

江门第一块led外延片“出炉”

据江门奥伦德外延部厂长翁叶华介绍,目前,5条高亮氮化镓基led外延片生产线已成功验收,2条led外延片生产线正式投产,1条正调试生产高端产品,2条生产线备产,根据市场的需求适时投

  https://www.alighting.cn/news/20110810/100422.htm2011/8/10 9:23:00

基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究

尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究,GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高,但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00

[名词] 氮化镓|GaN

GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结

  https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00

厚度对GaN薄膜的发光性能的影响

研究发现不同厚度GaN 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03

李秉杰:大陆led外延芯片需要整合壮大

相对台湾外延和芯片企业数量越来越少、规模越来越大和国外的策略联盟越来越强的趋势,目前大陆外延和芯片企业的数量却越来越多,与台湾形成了鲜明的对比。应该说台湾在外延和芯片方面取得的成

  https://www.alighting.cn/news/20100712/86000.htm2010/7/12 0:00:00

led外延片:五种衬底材料的综合比较

衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要;本文,简单介绍几种常用的衬底材料,以飨读者;

  https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36

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