站内搜索
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的mg掺杂GaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23
日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(GaN)单晶薄膜的GaN模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量gaas单晶层生长条
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
