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代，1963年pope报道了蒽单晶片在400v电压的作用下的发光现象。直到1987年c. w. tang[2]等人首次采用双层器件结构得到了高性能的oled后，oled技术才引起各国专
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热顺畅性。 为了要降低热阻抗，许多国外 led 厂商将 led 芯片设在铜与陶瓷材料制成的散热鳍片（ heat sink ）表面，接著再用焊接方式将印刷电路板上散热用导线，连接到利
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