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0vac或2250vDc hi-pot测试。 特性： lan界面应用，可符合通讯标准(ieee802.3) 可选用加工批覆层防止跳火以通过hi-pot 测试 贴片式的设计可适用于波
http://blog.alighting.cn/s415998493/archive/2011/6/27/227857.html2011/6/27 11:06:00
也开始逐步获得应用。 leD整体光效优势明显 leD隧道灯的整体效率除与采用的leD的光效相关外，还与3个因素有关：二次光学设计达到的光能利用率、良好散热以保证leD输出光通量维
http://blog.alighting.cn/vicky_li/archive/2011/6/29/228052.html2011/6/29 10:38:00
0的一个空间。这个指标考核产品的控制技术。 一般标准要求指标为≤1℃或±0.5℃。 有的公司为了标榜控制技术有标称±0.2℃的，其实温度试验控制温度波动度达不到±0.3℃以内下面的温
http://blog.alighting.cn/yjck168/archive/2011/7/7/228920.html2011/7/7 16:12:00
此，而且这个代价还不小。这要从普通荧光灯的镇流器结构说起： （b）电子镇流器 图3.荧光灯电源电路图 我们知道，最普通的荧光灯的起辉是采用一个串联的铁芯电感和一个并
http://blog.alighting.cn/surpius/archive/2011/7/9/229366.html2011/7/9 10:13:00
需任何维护，同时，超大操作旋角意味着水温的冷热调节过程平滑，渐进，精确。 [2]3。我们产品的镀铬表面闪烁，无与伦比，这要归功于安蒙光亮技术经过多年不断完善的镀铬工艺，五
http://blog.alighting.cn/anmengshuicao/archive/2011/7/11/229437.html2011/7/11 16:25:00
关证书提供伊拉克voc,伊拉克psi检验,voc证书,voc清关证书伊拉克中央标准质量控制组织任命实施伊拉克进口前检验、测试和出证方案（简称icigi）根据伊拉克法律第54号第3章第
http://blog.alighting.cn/lca_cjh/archive/2011/7/15/229706.html2011/7/15 9:37:00
合封装与芯片板上封装3种技术，而透过封装技术的优化，可提升leD芯片的发光效率、散热效果与产品可靠度。 在单颗芯片封装方面，可让单颗leD芯片大幅发挥照明优势，例如，针对发光效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
产的leD的电流、电压特性均有较大的个体差异。现以大功率 1w白光leD 典型规格为例,按照leD的电流、电压变化规律来做简要说明,一般1w白光应用正向电压为3.0-3.6v左右,为保证
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229856.html2011/7/17 22:43:00
能,每3.2ms的周期内按所设计的顺序出现8种不同的开关频率,将电磁干扰频谱转移到一个相对较宽的频率带宽,从而达到优化系统emi的目的。 同时se3910的工作状态使用多模式调
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229859.html2011/7/17 22:44:00
出范围35～350ma;输出电流精度可达±3.5%;内部集成了低压差恒流调整管,其压差典型值为0.5v;另有输出5v、4ma线性稳压器给内部电路供电;过热关闭保护;外部有电流检测电阻
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229863.html2011/7/17 22:45:00
