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leD的封装技术比较

纪90年代初推出“食人鱼”封装结构的 leD,并于1994年推出改进型的“snap leD”,有两种工作电流,分别为70ma和150ma,输入功率可达0.3w。接着osram公司推出

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00

leD技术标准和检方法

及欧洲等发达国家及政府组织在leD发光方面投入大量的人力、物力组织开发和研究,使leD光源的技术水平有了大幅度的提高,功率已经达到了33w,发光效率达到301m/w,使leD光源用

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230098.html2011/7/18 23:44:00

leD芯片/器件封装缺陷的非接触检技术

规的接触式量几乎难以实现封装中的质量检,非接触量是最有希望的手段。3、非接触检的基本原理  3.1 leD芯片的光伏特性  发光二极管leD芯片的核心是掺杂的pn结,当给它施

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00

leD照明系统设计指南完全版

本文详细讨论leD照明系统设计的六个设计步骤:(1)确定照明需求;(2)确定设计目标估计光学;(3)热和电气系统的效率;(4)计算需要的leD数量;(5)对所有的设计可能都予以考

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230161.html2011/7/19 0:18:00

提高取效率降热阻功率型leD封装技术

白光较前一种方法稳定,但驱动较复杂,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。(3)在紫外光芯片上涂rgb荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00

提高取效率降热阻功率型leD封装技术

白光较前一种方法稳定,但驱动较复杂,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。(3)在紫外光芯片上涂rgb荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。由于目前的紫外光芯

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发光二极管封装结构及技术

关。若采用尖形树脂透镜,可使光集中到leD的轴线方向,相应的视角较小;如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。 一般情况下,leD的发光波长随温度变化为0.2-0.

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00

【iw5100】便携式强光防爆应急灯【西安】

:2000国际质量管理体系标准进行质量控制,确保产品质量高于国家标准,完全达到设计要求,产品实行3年保用,光源保修1年。自购买之日起3年内,产品正常使用下出现任何故障由本公司负责免费维

  http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/19/230188.html2011/7/19 8:28:00

胶南市广州路(一中北—长春路)北通及亮化施工工程

销(代理)商,且具有城市道路照明工程专业承包三级及以上资质;3、第一标段施工企业项目经理:市政公用资质的企业项目经理具有市政公用工程专业二级及以上国家注册建造师资格或具有山东省临时注

  http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/7/19/230205.html2011/7/19 10:08:00

oleD显示技术近期进展及赶超机遇

息显示协会)展会上,许多公司纷纷展出了各种应用领域的oleD显示屏,涉及电视、mp3、手机、车载、白光光源、可弯曲标价牌等,展品的颜色丰富细腻,亮度、对比度、解析度等都达到了历史新

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230286.html2011/7/19 23:41:00

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